样品前处理

硅胶基质 SPE

CN

CN氰丙基是弱疏水性的硅胶基质填料，可作为正相或者反相吸附剂使用。在反相条件下，从水溶液在萃取非极性或者弱极性的酸、碱、中性化合物。在正相条件下，从非极性有机溶剂中萃取极性化合物。对在C18固定相上产生不可逆结合的强疏水物质，CN固定相是更合适的选择。

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硅胶基质 SPE

Diol

二醇基填料具有类似硅胶的保留能力和较弱的酸性，碳链提供了额外的疏水作用，因而可以减少死吸附的发生。

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硅胶基质 SPE

C8

C8为中等疏水性的反相硅胶基质填料，通过疏水相互作用保留非极性化合物。C8碳链较短，非极性疏水相互作用较C18弱，便于洗脱。

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C18 反相柱

C18N

C18N（未封端）以十八烷基硅胶为填料，主要通过疏水作用保留非极性化合物，此外其残留硅羟基提供了额外的极性保留能力。C18N是通用型固定相，可保留极性和非极性化合物。

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C18 反相柱

C18A

C18A（亲水）以十八烷基硅胶为填料，通过疏水作用从水溶液中萃取非极性化合物。全覆盖表面亲水修饰，使该固定相容易被水浸润，在水系流动相中保持碳链直立，提高硅胶基质的耐水性。

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离子柱系列

IC-C18

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-Ag/Na

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-Ba

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-H

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-Ag

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-Na

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-RP

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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