离子柱系列 IC-Ag/Na
HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上,而被测物则不被保留,从而进行后续的分析测定,这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。


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HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上,而被测物则不被保留,从而进行后续的分析测定,这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。
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| 参数项 | 参数值 |
|---|---|
| 名称 | 功能团 / 应用 |
| IC-RP | 二乙烯基苯 / 疏水性化合物的去除,以及含有亲水基团的疏水性物质,如芳香族化合物,pH耐受1-14 |
| IC-Ag/H | Ag + 型磺酸盐+磺酸 / 卤素阴离子的去除,过量Ag + 的去除 |
| IC-H | 礦酸 / 阳离子(重金属)的去除,碱性溶液的调节 |
| IC-Ba | Ba 2+ 型磺酸盐 / SO 4 2- 的去除 |
| IC-Ag | Ag + 型磺酸盐 / 卤素阴离子的去除 |
| IC-Na | Na + 型磺酸盐 / 阳离子(重金属)的去除 |
| IC-C18 | C18 / 疏水性化合物的去除,pH耐受2-8 |
| 基质 | 规格 | 货号 | 规格描述 |
|---|---|---|---|
| 离子柱系列 | 1mL | 06912-10 | HPSW IC-C18 1mL; 50/pkg |
1.介绍:
HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上,而被测物则不被保留,从而进行后续的分析测定,这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。
| 名称 | 功能团 | 应用 |
| IC-RP | 二乙烯基苯 | 疏水性化合物的去除,以及含有亲水基团的疏水性物质,如芳香族化合物,pH耐受1-14 |
| IC-Ag/H | Ag+型磺酸盐+磺酸 |
卤素阴离子的去除,过量Ag+的去除 |
| IC-H | 礦酸 | 阳离子(重金属)的去除,碱性溶液的调节 |
| IC-Ba | Ba2+型磺酸盐 | SO42-的去除 |
| IC-Ag | Ag+型磺酸盐 | 卤素阴离子的去除 |
| IC-Na | Na+型磺酸盐 | 阳离子(重金属)的去除 |
| IC-C18 | C18 | 疏水性化合物的去除,pH耐受2-8 |
该产品适用于复杂基质中目标物的净化与富集。具体到你的样品,建议先把基质与目标物发给工程师确认。
HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上,而被测物则不被保留,从而进行后续的分析测定,这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。
HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上,而被测物则不被保留,从而进行后续的分析测定,这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。
HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上,而被测物则不被保留,从而进行后续的分析测定,这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。
HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上,而被测物则不被保留,从而进行后续的分析测定,这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。
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