样品前处理

离子柱系列

IC-C18

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-Ag/Na

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-Ba

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-H

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-Ag

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-Na

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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离子柱系列

IC-RP

HPSW IC 离子柱利用样品中干扰组分与前处理柱中的固定相之间的结合力使基体中的干扰组分保留在样品前处理柱上，而被测物则不被保留，从而进行后续的分析测定，这种方法也可达到被测物富集和样品基体去除的目的。

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